| 发明名称 | 高铝陶瓷的低温烧结 | ||
| 摘要 | 一系列Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含量为60—95％，烧成温度仅1120—1450℃的低温烧结高铝陶瓷材料，它们的机械强度、介电特性、化学稳定性等都达到和大部分优于Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>含量为90—95％，烧结温度为1600—1700℃的高铝陶瓷国家标准。本发明的低温烧结高铝陶瓷采用工业氧化铝和普遍的工业或天然矿物作原料和传统的95瓷工艺制造，不用超细粉体和特殊工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1078709A | 申请公布日期 | 1993.11.24 |
| 申请号 | CN92108428.5 | 申请日期 | 1992.05.18 |
| 申请人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明人 | 王天宝;王列娥 |
| 分类号 | C04B35/10;C04B35/64 | 主分类号 | C04B35/10 |
| 代理机构 | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人 | 潘振甦 |
| 主权项 | 1、一系列低温烧结高铝陶瓷的方法，包括成型、烧结工艺过程，其特征在于：(1)在煅烧过α-Al2O3中加入助熔料和添加物，其配比(wt)是助熔料3-40%，α-Al2O394-55%，添加物0-5%；(2)助熔料的组份(wt)为：CaO5-40%，MgO7-30%，Al2O38-35%，B2O30-60%，SiO210-65%；(3)添加物为La2O3、SrCO3、BaCO3、SrF2、CaF2、BaF2、PbO、ZnO中的一种或一种以上，总添加量为0-5wt%。 | ||
| 地址 | 200050上海市长宁区定西路1295号 | ||