METHOD OF DOPING A POLYSILICON LAYER ON A SEMICONDUCTOR WAFER

摘要

Procédé de dopage d'une couche au polysilicium avec du phosphore dans lequel l'oxychlorure de phosphore (46) est introduit dans la tranche de silicium environ au début de l'accroissement de la température d'étuve de la tranche de silicium. En introduisant l'oxychlorure de phosphore (46) plus tôt que dans les procédés de l'art antérieur, cette invention permet de réduire le poly rho et le poly rho sigma de la couche au polysilicium dopée. Dans une autre forme d'exécution, on peut réduire la racine DT de la diffusion de la matière dopée dans la région au silicium dopée située sur la tranche de silicium afin de faciliter le maintien de la profondeur de jonction de la zone au silicium dopée.