| 发明名称 |
Method of producing an integrated circuit with medium voltage MOS transistors. |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP0321366(B1) |
申请公布日期 |
1993.11.10 |
| 申请号 |
EP19880420417 |
申请日期 |
1988.12.14 |
| 申请人 |
SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.A. |
发明人 |
BOIVIN, PHILIPPE |
| 分类号 |
H01L21/76;H01L21/266;H01L21/762;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/76;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L21/76 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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