| 发明名称 |
FORMATION OF CONTACT HOLE OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATE |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05291558(A) |
申请公布日期 |
1993.11.05 |
| 申请号 |
JP19920095482 |
申请日期 |
1992.04.15 |
| 申请人 |
MATSUSHITA ELECTRIC WORKS LTD |
发明人 |
TAKANO HITOMICHI;SUZUKI YUJI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L29/41;(IPC1-7):H01L29/44;H01L21/320 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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