发明名称 Procédé de fabrication de cuivre à très basse teneur en oxygène.
摘要 <P>L'invention concerne un procédé de fabrication de cuivre à très basse teneur en oxygène, ayant notamment une teneur en oxygène de 0,5 ppm ou moins. <BR/> Le procédé comprend l'addition d'oxyde de cuivre pendant l'un quelconque des traitements suivants: (1) un traitement de désoxydation par maintien à l'état fondu de cuivre brut en présence de graphite, (2) un traitement de désoxydation avec insufflation d'un gaz réducteur dans le cuivre fondu résultant de la fusion de cuivre brut, et (3) un traitement de fusion de cuivre brut en présence de graphite et de désoxydation avec insufflation d'un gaz inerte ou d'un gaz réducteur dans le cuivre fondu résultant en présence de graphite, ladite addition étant effectuée de manière à établir une concentration momentanée d'oxygène comprise entre 50 et 200 ppm par rapport au cuivre. <BR/> Application à la fabrication de récipients industriels pour vide poussé.</P>
申请公布号 FR2690462(A1) 申请公布日期 1993.10.29
申请号 FR19930004066 申请日期 1993.04.06
申请人 MITSUBISHI MATERIALS CORP 发明人 NORIKAZU ISHIDA;IWAMURA TAKURO
分类号 C22B15/00;C22B15/14 主分类号 C22B15/00
代理机构 代理人
主权项
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