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发明名称 Methode und Apparat zur Lebensdauermessung in P-N-Halbleiterübergängen mittels des photovoltaischen Effektes.
摘要
申请公布号 DE68909282(D1) 申请公布日期 1993.10.28
申请号 DE19896009282 申请日期 1989.03.21
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L., AGRATE BRIANZA, MAILAND/MILANO, IT 发明人 RUSSO, VINCENZO, I-95024 ACIREALE CT, IT
分类号 G01R31/26;G01R31/265;(IPC1-7):G01R31/26 主分类号 G01R31/26
代理机构 代理人
主权项
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