INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE,申请号JP19920098779-传众专利搜索

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发明名称	INSULATED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND ITS MANUFACTURE
摘要
申请公布号	JPH05275705(A)	申请公布日期	1993.10.22
申请号	JP19920098779	申请日期	1992.03.25
申请人		发明人
分类号	H01L21/336;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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