Cavité laser à hétérostructure semi-conductrice dissymétrique et laser équipé de cette cavité.

摘要

Cette cavité laser comporte une première zone (1) de composition variant d'une première à une seconde faces avec une énergie de gap qui décroît linéairement de la première à la seconde faces, pour l'excitation électronique, la création de paires électrons-trous et un confinement optique et de guidage de lumière, une zone active (2) d'émission à puits quantiques, une seconde zone (3) de confinement optique et de guidage de lumière et de composition variant d'une première à une seconde face avec une énergie de gap qui croit de la première à la seconde face, la zone active étant au contact des première et seconde faces respectivement des troisième et première zones, une zone tampon intercalée entre la seconde zone et un substrat, les première et seconde zones étant dissymétriques par rapport à la zone active et définissant avec celle-ci un GRINSCH dissymétrique.