发明名称 Circuit for sensing the state of matrix cells in MOS EPROM memories.
摘要
申请公布号 EP0326004(B1) 申请公布日期 1993.10.20
申请号 EP19890100780 申请日期 1989.01.18
申请人 SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.R.L. 发明人 CAMPARDO, GIOVANNI
分类号 G11C17/00;G11C16/06;G11C16/28;H03K19/177;(IPC1-7):G11C17/00;G11C7/00 主分类号 G11C17/00
代理机构 代理人
主权项
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