发明名称 GTO THYRISTOR CIRCUIT.
摘要 Dans un circuit pour la commande forte d'un GTO, l'inductance de ligne (L1) et l'inductance interne du GTO (L2) forment, à l'intérieur du circuit de gâchette, avec une première capacité (C1) montée en série par l'intermédiaire d'un interrupteur (S), un circuit oscillant en série. Les grandeurs de la première capacité (C1) et de la première inductance (L1) sont choisies de telle manière qu'en cas de décharge de la première capacité (C1) par les deux inductances (L1, L2), le courant de gâchette provenant de la première capacité (C1) dépasse, dans le premier quart de période du circuit oscillant en série, 0,5 fois la valeur d'un courant d'anode à couper du GTO sur un intervalle de temps inférieur à 5 mus. Il est prévu également une première série de dispositifs ayant pour effet, après le premier quart de période du circuit oscillant en série, de découpler la première capacité (C1) de la production du courant de la gâchette et d'affaiblir lentement le courant de gâchette de telle manière qu'il soit à tout moment supérieur au courant de queue du GTO. Il est prévu enfin une deuxième série de dispositifs sous forme d'un circuit de recharge qui est activé pendant l'affaiblissement du courant de gâchette et qui applique à la gâchette (G) du GTO, après l'affaiblissement du courant de gâchette, une tension de maintien (VH) suffisante pour un blocage.
申请公布号 EP0565667(A1) 申请公布日期 1993.10.20
申请号 EP19920921758 申请日期 1992.10.30
申请人 ABB RESEARCH LTD. 发明人 GRUENING, HORST
分类号 H03K17/732;(IPC1-7):H03K17/732 主分类号 H03K17/732
代理机构 代理人
主权项
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