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发明名称 METHOD OF FORMING AN SOI STRUCTURE AND A SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FORMED USING THAT METHOD
摘要
申请公布号 EP0537677(A3) 申请公布日期 1993.10.20
申请号 EP19920117457 申请日期 1992.10.13
申请人 SONY CORPORATION 发明人 OCHIAI, AKIHIKO;HASHIMOTO, MAKOTO;MATSUSHITA, TAKESHI;YAMAGISHI, MACHIO;SATO, HIROSHI;SHIMANOE, MUNEHARU
分类号 H01L21/28;H01L21/762;H01L21/8247;H01L21/84;(IPC1-7):H01L21/28;H01L21/76 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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