发明名称 测量电压和/或电场强度的方法和传感器
摘要 本发明涉及一种测量电压和/或电场的方法,它利用晶体(1)所具有的光电效应(纵向光电效应)来实现,为此沿Z方向的偏振光波(17′)的垂直于传播方向(Y方向),在晶体(1)内沿X轴方向上,将产生一个电场强度的梯度,根据该梯度可获得晶体(1)的折射率n的相应的梯度,由此在该晶体(1)内出现该光波(17′)的取决于场强变化的偏转,所出现的这一偏转可用来测出电压或场强。这里同样地描述一种合适的传感器。
申请公布号 CN1077539A 申请公布日期 1993.10.20
申请号 CN93101957.5 申请日期 1993.02.23
申请人 MWB高压系统公司 发明人 迪克·皮埃尔;霍尔格·希尔什
分类号 G01R19/00;G01R15/07 主分类号 G01R19/00
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利代理部 代理人 姜华
主权项 1、利用晶体所呈现的光电效应测量电压和/或电场强度的方法,在该晶体中穿过一偏振光波,并沿着该光行程传播,利用沿该光行程平行地延伸的接有电压或可接有电压的电极,晶体中的场强和晶体的折射率被改变或可变化,并且根据折射率的变化而产生的光波的变化,将其用来作为在电极上所加电压的量度,其特征在于:这些电极(5,6及7,8)是如此布置的,即在晶体(1)上这些加有电压(9;10,11)的电极(5,6及7,8)沿着相交于光波(17)的扩展方向(晶体(1)的y或x轴方向)的光行程(21),呈现晶体(1)的Z轴方向上电场强度(Ez)的梯度和折射率(n)的梯度,从而该光波(17)在晶体(1)内随电压偏转,并且这一偏转(偏转范围(26))状态被测出。
地址 联邦德国班贝格