发明名称 Heizapparat für Halbleiter-Wafer.
摘要
申请公布号 DE3787367(D1) 申请公布日期 1993.10.14
申请号 DE19873787367 申请日期 1987.05.14
申请人 PROCESSING TECHNOLOGIES, INC. AG, SUNNYVALE, CALIF., US 发明人 GAT, ANITA S., PALO ALTO CALIFORNIA 94301, US;WESTERBERG, EUGENE R., PALO ALTO CALIFORNIA 94301, US
分类号 F27B5/14;F27D19/00;F27D99/00;H05B3/00;(IPC1-7):H05B3/00;C30B25/10;F27B17/00;C30B31/12 主分类号 F27B5/14
代理机构 代理人
主权项
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