| 主权项 |
1﹒一种半导体装置包括一电绝缘之材料,经配置 在该绝缘材料上之一个单矽 层并具有至少一条积体电路形成在其上,一片钝化 膜盖覆至少该积体电路 ,经配置在钝化膜上之一黏着层,及一个支持构件 系通过黏着层予以固定 至电绝缘材料上而支持该单矽层。 2﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,钝化 膜具有一个顶层其中包 含氧代氮化矽膜和氮化矽膜之一。 3﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,将一 个校平层插置在钝化膜 与黏着层间。 4﹒如申请专利范围第3项之半导体装置,其中,校平 层包括一种矽氧化物。 5﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,包括自单 矽层的指定区域予以转变 之一绝缘膜,一半导电层包含经形成在该绝缘膜上 之聚矽层和非晶(形) 矽层之一并具有开关元件组用以开关活性矩阵愿 示器的像素。 6﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中形成 单矽层而具有一个开关元 件组用以开关活性矩阵显示器的像素,及一条驱动 程式积体电路用以驱动 该开关元件组。 7﹒如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,该开 关元件组和该驱动程式 积体电路构成典有金属/绝缘体/半导体构造之电 场效型的MIS电晶体 。 8﹒如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,该开 关元件组构成P通道型 的MIS电晶体。 9﹒如申请专利范围第6项之半导体装置,其中,该开 关元件组含有一个别开 关元件用以选择性激活经形成在电绝缘膜上之一 组的像素电极,及该个别 开关元件具有,环绕其附近,一个高杂质区域(它具 有与由单矽层所组成 之基体者相同导电率型)。 10﹒如申请专利范围第7项之半导体装置,其中,开 关元件组的MIS电晶 体具有其长度和宽度的一定乘积数値,小于经包含 在驱动程式积体电路 中之另一MIS电晶体者。 11﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,经 形成在单矽层中之积体 电路含有具有金属/绝缘体/半导体构造之电场效 型的MIS电晶体, 该MIS电晶体包含单晶半导体基体系由单矽层的一 个区域(含有第左 电导率型的一种杂质)所组成,经形成在该单晶半 导体基体中之一对源 极和汲极区域并含有第二电导率型的另种杂质,及 经形成在源极与汲极 区域间之单晶半导体基体表面上之一个通道区域; 及其中将第一导电率 型的一种杂质以一定之密度掺杂在源极与汲极等 区域间,此密度足以抑 制寄生通道之产生,并将第二导电率型的另种杂质 掺杂入地道区域中用 以控制定限电压。 12﹒如申请专利范围第11项之半导体装置,其中,经 形成在单晶半导体基 体中之源极与汲极等区域与电绝缘膜相间隔分离 。 13﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中经形 成在单矽层中之积体电 路含有具有金属/绝缘体/半导体沟造之电场效型 的MIS电晶体,该 MIS电晶体包含单晶半导组基体系由单矽层的一个 区域(含有第一电 导率型的一种杂质)所组成,经形成在该单晶半导 体基体中之一对源极 与汲极区域并含有第二电导率型的另种杂质,及经 形成在源极与汲极区 域间之单晶半导体基体表面上之一个通道区域,及 通过一闸绝缘膜予以 配置在通道区域上之一个闸电极:及其中,经定位 在闸绝缘膜与电绝缘 材料间之一部份的单晶半导体基体包含一种导电 率型的一个杂质层,与 在至电绝缘材料之边界附近之较低区域相比较,具 有相当薄密度在通道 区域中。 14﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,经 形成在单矽层中之积体 电路含有具有金属/绝缘体/半导体构造之电场效 型的MlS电晶体, 该MIS电晶体包括具有与源极和汲极区域者相反导 电率型之一个杂质 区域,且系被形成在电绝缘材料与单矽层间之边界 的附近,在接邻于源 极和汲极区域之各位置。 15﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,经 形成在单矽层中之积体 电路包含一对的具有金属/绝缘体/半导体构造之 互补型的M1S电晶 体,其中,将N型MIS电晶体形成在单矽层的相当厚部 份中,而P型 MIS电晶体则被形成在单矽层的相当薄之部份中。 16﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,经 形成在单矽层中之积体 电路具有一对的具有金属/绝缘体/半导体构造之 互补型的MIS电晶 体,其中,N型MlS电晶体具有与电绝缘之材料经间隔 分离之一对的 源极和汲极区域。 17﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,其中,经 形成在单矽层中之积体 电路具有一对的具有金属/绝缘体/半导体构造之 互补型的MlS电晶 体,其中,将N型MlS电晶体形成在P型杂质区域和p阱 区域之中, 它包括与电绝缘之材料经间隔分离之一片场氧化 膜。 18﹒如申请专利范围第7项之半导体装置其中开关 元件组及驱动程式积体电 路系由MlS电晶体所构成,并将驱动程式电路形成在 具有相当大厚度 之单矽层的一个区域中,同时将开关元件形成在具 有相当小厚度之单矽 层的另外区域中。 19﹒如申请专利范围第1项之半导体装置,包括活性 矩阵显示器之一个像素 开关元件组系经形成在单矽层的一个区域和由经 配置在一绝缘膜上之聚 矽层和非晶形矽层之一所组成区域之一中,该绝缘 膜系由二氧化矽所组 成,它系经由氧化自单矽层予以转变,及经形成在 单矽层的另外区域中 之一条驱动程式积体电路用以驱动像素开关元件 组,其中将该像素开关 元件组配置在具有相当小厚度之一部份电绝缘之 材料上,同时将驱动程 式积体电路配置在具有相当大厚度之另外部份的 电绝缘材料上。 20﹒一种半导体装置之制造方法包括:形成SOI基体 的第一步骤,此基体 具有通过一电绝缘之材料予以层合在一个临时基 体的上之一个单晶半导 体层;形成横体电路在单晶半导体层上的第二步骤 ;经由黏合剂固定一 个支持构件至积体电路的一个表面(在临时基体之 相对面上)上之第三 步骤;移除临时基体而露出电绝缘材料的平坦表面 之第四步骤;及形成 至少一个电极在电绝缘材料的露出之平坦表面上 之第五步骤。 21﹒如申请专利范围第20项之半导体装置的制造方 法,其中,第一步骤包 括经由热黏附面固定由单矽所组成之半导体基体 至由矽所组成之一片临 时基体上,系通过由二氧化矽所组成之通绝缘材料 而固定;及将半导体 基体稀薄化而形成具有一个单矽层之SOI基体。 22﹒如申请专利范围第21项之半导体装置的制造方 法,其中,第一步骤包 括经由沈积一个氮化矽层在矽之临时基体上作为 底层而形成一电绝缘之 材料,经由CVD沈积一个二氧化矽层,并经由热黏着 而固定该半导体 基体至二氧化矽层上。 23﹒如申请专利范围第20项之半导体装置的制造方 法,其中,第四步骤包 括经中蚀刻或经由蚀刻及抛光移除临时基体而现 出二氧化矽层或氮化矽 层的一个蚀刻停止器层。 24﹒如申请专利范围第20项之半导体装置的制造方 法,其中,第三步骤包 括经由主要由二氧化矽所组成之黏合剂固定支持 构件。 25﹒如申请专利范围第20项之半导体装置的制造方 法,其中,第三步骤包 括施加黏合剂至积体电路之一表面上,并将它固化 而形成具有单层构造 之支持构件。 26﹒一种光阀的制造方法包括制备具有堆叠层构 造之SOI基体的第一步骤 ,该堆叠层构造包含通过一片透明之电绝缘材料所 层合之一临时基体及 一单晶半导体层;形成像素在选择性移除该单晶半 导体层之一个区域及 选择性形成一个二氧化矽膜之一个区域之一上之 第二步骤;并形成一个 驱动程式在单晶半导体层中,此驱动程式合有像素 开关元件及一条驱动 程式积体电路用以选择性施加一个信号至此等像 开关元件;通过黏合剂 放置一个支持构件在SOl基体上(形成该SOI基体而具 有各像素电 极和驱动程式)的第三步骤;移除该临时基体而露 出透明电绝缘之材料 的第四步骤;开启一个通孔在经露出之透明电绝缘 材料的指定位置中并 形成一片金属膜在其经露出之表面上之第五步骤; 将该金属膜形成图型 而形成一个掩蔽层(它部份式或全部盖覆驱动程式 ),并同时形成一个 电极垫片(它通过该通孔电连接至驱动程式而界定 驱动基体的第六步骤 ;及耦合一个计数器基体(将它形成而具有一透明 电极)至驱动基体之 一个表面上(形成此驱动基体而具有掩蔽层),附以 留下一条间隙,然 后填充一种电光材料入该间隙中。 27﹒一种具有光源用以照射光阀及光学透镜用以 投射经显示在光阀上之放大 像之影像投射装置,其中,该光阀包括具有各像素 电极之一个驱动基体 及一条驱动程式电路用以依照指定之信号来驱动 各像素电极;与该驱动 基体相对之计数器基体;及经插置在驱动基体与计 数器基体间之一个电 光材料层,该驱动基体包括一透明之电绝缘层,经 形成在该透明电绝缘 层上之一个单晶半导体层,及一个光掩蔽层系经配 置在该透明电绝缘层 的表面上,而与单晶半导体层呈相反之关系,该驱 动程式电路包括经形 成在单晶半导体层中之一个电晶体元件,形成光掩 蔽层而盖覆电晶体元 件的一个活性部份;将各像素电极整组布置入单晶 半导体层中且被电连 接至驱动程式电路因此使该驱动程式电路驱动各 像素电极而激活电光材 料层来控制其光学透射比。图示简单说明: 图1是示意截面图显示:本发明半导 体装置的基本构造; 图2是截面图显示:本发明半导体装 置的第一具体实施例; 图3是截面图显示:本发明半导体装 置的第二具体实施例﹔ 图4(A–l)至图4(B–2)是 示意图显示:本发明半导体装置的第三具 _体实施例; 图5是截面图显示:具有抑制漏流而 有效之构造的本发明MIS电晶体之一个实 例; 图6是截面图显示:具有相似漏流抑 制型的通道构造之本发明MIS电晶体; 图7是截面图显示:具有漏流抑制型 的另外通道构造之本发明MIS电晶体; 图8是截面图显示﹕截面图显示:具 有相似漏流抑制构造之本发明MIS电晶体 ﹔ 图9是一幅图表显示沿着图5的A— B线所测量之杂质密度轮廓; 图10是一幅图表显示沿着图6的C– D线所测量之杂质密度轮廓; 图11(A)至图11(D)是步骤图显 示;图5 MlS电晶体的制造方法; 图12是一个截面图显示:具有漏流抑 制构造之本发明MlS电晶体; 图13是一个截面图显示:具有相似漏 流抑制构造之LDD型的本发明MlS电晶 体; 图14是一个截面图显示:具有漏流抑 制构造之本发明之互补MlS电晶体对; 图15是一示意平面图举例说明:寄生 通道的产生历程; 图16是沿着图15的E-F线所取之截 面图; 图17是示意截面图举例说明:寄生通 道抑制构造; 图l8是截面图显示:具有寄生通道抑 制构造之本裂明互补MlS电晶体对; 图l9是截面图显示:具有相似寄生通 道抑制构造之另外本发明之互补MlS电晶 体对; 图20是截面图显示:具有相似寄生通 道抑制构造之另外本发明之互补MlS电晶 体对; 图21是平面图显示:双极作用; 图22是沿着图21的X-X线所取之截 面图; 图23是平面图显示:具有固定基体电 势在其上之构造之具体实施例; 图24是沿着图23的Y-Y线所取之截 面图; 图25(A)和25(B)是示意图举例 说明:寄生通道产生机构; 图26是一幅图表显示:单矽层与介质 材料层间之边界附近之杂质硼的轮廓; 图37是相同之一幅图表显示:单矽层 与介质材料层间之边界附近之杂质磷的轮 廓; 图28是示意图举例说明:光电流产生 历程; 图29是单矽层的能带图; 图30是一幅图表显示:闸波电压与 MIS电晶体中之汲极电流间的关系; 阗31是示意图显示:经由使用本发明 之半导体装置所构造之活性矩阵型的光阀 ; 图32是示意图显示:经由使用图31光 阀所构造之影像投射器; 图33(A)至33(C)是步骤图显示 :本发明光阀的制造方法; 图34(A)至图34(B)是步骤图显 示:本发明光阀的制造方法;及 图35(A)至35(D)是示意图显示 :于制造本发明之半导体装置时所使用之 SOl基体。 |
