| 摘要 |
<P>Il est proposé un procédé de réalisation d'une couche de silicium monocristalline qui est séparée, par une couche d'isolateur ensevelie, d'un substrat de silicium se trouvant sous cette dernière. En plus des étapes techniques utilisées dans un procédé SIMOX et qui conduisent à une structure de disque SIMOX à couche d'oxyde SIMOX ensevelie et à couche de silicium se trouvant sur cette dernière, les étapes techniques suivantes sont prévues: <BR/> production d'une couche de diélectrique sur le disque de silicium SIMOX et/ou sur un disque de support en silicium, liaison en un seul disque de ces disques, de manière qu'ils sont assemblés l'un à l'autre par leurs côtés avant, application d'une couche anti-dérochage sur le disque de support en silicium et dérochage, du côté arrière, du disque de silicium SIMOX, jusqu'à la couche d'oxyde SIMOX ensevelie.</P>
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