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发明名称 Herstellungsverfahren für einem bipolaren Transistor mit Heteroübergang.
摘要
申请公布号 DE3688516(T2) 申请公布日期 1993.10.07
申请号 DE19863688516T 申请日期 1986.03.25
申请人 NEC CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 ITOH, TADATSUGU, SHINJUKU-KU TOKYO, JP;KOHZU, HIDEAKI, MINATO-KU TOKYO, JP;HOSONO YASUHIRO, HOSONO YASUHIRO, MINATO-KU TOKYO, JP
分类号 H01L29/26;H01L21/331;H01L21/8222;H01L27/06;H01L27/082;H01L29/20;H01L29/267;H01L29/423;H01L29/73;H01L29/737;(IPC1-7):H01L29/267;H01L29/72;H01L21/265 主分类号 H01L29/26
代理机构 代理人
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