Ätzmittellösung zur Bildung von Ätzmustern in einer Polyimid- oder einer Polyimid-iso-Indrochinazolindion-Isolationsschicht eines Halbleiterbauelements,申请号DE19833348416-传众专利搜索

发明名称	Ätzmittellösung zur Bildung von Ätzmustern in einer Polyimid- oder einer Polyimid-iso-Indrochinazolindion-Isolationsschicht eines Halbleiterbauelements
摘要
申请公布号	DE3348416(C2)	申请公布日期	1993.10.07
申请号	DE19833348416	申请日期	1983.05.03
申请人	NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SANTA CLARA, CALIF., US	发明人	BELANI, JAGDISH G., CUPERTINO, CALIF., US
分类号	C23F1/00;H01L21/306;H01L21/308;H01L21/311;H01L21/312;(IPC1-7):H01L21/311;C08L79/08;C08L79/04;C08J3/24;C08J7/00	主分类号	C23F1/00
代理机构		代理人
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