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发明名称 Vertikales doppelt diffundiertes MOSFET-Element mit vergrößerter Stromkapazität
摘要
申请公布号 DE3920010(C2) 申请公布日期 1993.10.07
申请号 DE19893920010 申请日期 1989.06.20
申请人 HYUNDAI ELECTRONICS INDUSTRIES CO., LTD., SEOUL/SOUL, KR 发明人 KIM, JONG OH, SEOUL/SOUL, KR;KIM, JIN HYUNG, CHUNG-BUK, KR
分类号 H01L29/06;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784;H01L27/105 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
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