晶体生长设备

摘要

揭示一种按EFG法增长管形晶体的新颖设备，特征为设备至少有一个外通道和至少一个内通道，在坩埚模具组合件和相关的部件中形成，引入至少一条外通道的气体，藉以输送入与模具上的增长面相邻的增长晶体外面的区域，引入至少一条内通道的气体，输送入与该增长面相邻的空心晶体里面的区域，从而内外区中的大气可以分别控制。

主权项

1.一种按导模法用设备生长选定截面的硅空心晶体的改进方法，上述设备包括坩埚模具组合件，该坩埚模具组合件包括具有硅液体供应源的腔室、具有支承与晶种接触的硅液膜的生长面的模具件和至少一个与生长面和在该腔室中的硅供应源连通的毛细管，以通过毛细作用将液状硅供应到生长面而液膜被补充，通过先将硅晶种引到模具生长面以致晶种开始熔化并与至少一个毛细管中的液状硅相结合，从而，晶体开始生长，尔后，以控制的速率从模具件生长面拉引种晶，而硅液膜保持附着在模具件生长面和生长的晶体上，同时，来自坩埚模具组合件腔室中的硅供应源的液状硅不断补充生长面上的液膜，其中，俯视的晶体生长面呈具有内、外缘部分的环形，其特征在于，该方法包括：a.通过在上述坩埚模具组合件的至少一部分上所形成的第一通道，第一气流经上述生长面外缘和纵向地沿生长的晶体外表面通过，和b.同时，通过在上述坩埚模具组合件的至少一部分上所形成的第二通道，第二气流经上述生长面内缘和纵向地沿生长的晶体的内侧通过；由此，沿生长面内、外缘的气氛和沿生长的晶体的内、外表面的气氛被分开控制，从而，晶体质量得到很大改进。