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发明名称 Method of providing silicon dioxide layer on a substrate by means of chemical reaction from the vapor phase at a low pressure (LPCVD)
摘要
申请公布号 US5250473(A) 申请公布日期 1993.10.05
申请号 US19910739624 申请日期 1991.08.02
申请人 U.S. PHILIPS CORP. 发明人 SMITS, JACOBUS W. M.
分类号 H01L21/314;C23C16/40;H01L21/316;(IPC1-7):H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205 主分类号 H01L21/314
代理机构 代理人
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