| 摘要 |
<p>UNA ESTRUCTURA FOTOVOLTAICA DE TRES CAPAS DE SEMICONDUCTOR POLICRISTALINO COLOCADAS OPTICAMENTE EN SERIE Y EN CONTACTO SECUENCIAL, ESTA FORMADA POR UNA CAPA RELATIVAMENTE TRANSPARENTE AL PASO DE UNA BANDA ANCHA DE ENERGIA OPTICA, UNA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE Y UNA TERCERA, SIMILAR A LA PRIMERA, QUE FORMA UN REFLECTOR ATENUADOR CON LA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE. LAS TRES CAPAS TIENEN COMPOSICIONES DISTINTAS DE FORMA QUE LA ESTRUCTURA INCLUYE DOS UNIONES HETEROGENEAS. LA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE Y LA TERCERA CAPA TIENEN EL MISMO TIPO DE CONDUCTIVIDAD. LA ESTRUCTURA SE REALIZA CONVENIENTEMENTE USANDO COMPUESTOS SEMICONDUCTORES II-VI, TALES COMO SULFURO DE CADMIO O ZINC PARA LA CAPA TRANSPARENTE, TELURO DE CADMIO Y MERCURIO, TELURO DE CADMIO, TELURO DE CADMIO Y ZINC O TELURO DE MERCURIO Y ZINC PARA LA CAPA LIGERAMENTE ABSORBENTE, Y UNA TERCERA CAPA DE TELURO DE CADMIO, TELURO DE ZINC, TELURO DE CADMIO Y ZINC, TELURO DE CADMIO Y MERCURIO O TELURO DE CADMIO Y MANGANESO. EL CADMIO ESTA PRESENTE EN DOS DE LAS TRES CAPAS. SE PUEDEN FORMAR POR ELECTRODEPOSICION ESTRUCTURAS CONVENIENTEMENTE DE ACUERDO CON LA INVENCION, Y SE PUEDEN EMPLEAR SUSTRATOS OPACOS O TRANSPARENTES DEPENDIENDO DEL TIPO DE SEMICONDUCTOR EMPLEADO EN SUS POSICIONES RELATIVAS.</p> |
