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发明名称 Verfahren zum Herstellen von IGFETs mit minimaler Übergangstiefe durch epitaktische Rekristallisation.
摘要
申请公布号 DE3688929(D1) 申请公布日期 1993.09.30
申请号 DE19863688929 申请日期 1986.12.22
申请人 SGS MICROELETTRONICA S.P.A., CATANIA, IT 发明人 MEDA, LAURA, PHYS. DR., I-20144 MILANO, IT
分类号 H01L21/28;H01L21/20;H01L21/225;H01L21/3215;H01L21/336;H01L29/08;H01L29/45;H01L29/78;(IPC1-7):H01L21/20;H01L21/324;H01L21/285 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
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