发明名称 Dünnschicht-MOS-Transistor mit zwei Gate-Elektroden, die gegenüber der halbleitenden Schicht liegen.
摘要
申请公布号 DE3879323(T2) 申请公布日期 1993.09.30
申请号 DE19883879323T 申请日期 1988.08.19
申请人 SONY CORP., TOKIO/TOKYO, JP 发明人 HAYASHI, HISAO SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP;NEGISHI, MICHIO SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP;NOGUCHI, TAKASHI SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP;OSHIMA, TAKEFUMI SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP;HAYASHI, YUJI SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP;MAEKAWA, TOSHIKAZU SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP;MATSUSHITA, TAKESHI SONY CORPORATION, TOKYO KANAGAWA, JP
分类号 H01L29/78;H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/78 主分类号 H01L29/78
代理机构 代理人
主权项
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