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<P>Un dispositif de génération de tensions de référence comporte: un premier transistor T1 placé entre une source de tension positive Vc et une sortie 1 de l'étage de génération ayant sa grille polarisée à un premier potentiel V1; au moins un deuxième T2 et un troisième T3 transistors en parallèle, identiques au premier T1, chacun ayant sa grille polarisée à un potentiel respectif V2 et V3 et étant monté en série avec un transistor de commutation respectif entre la sortie 1 de l'étage de génération et la masse; une chaîne de résistances en série R1 à R4 entre la source de tension positive Vc et la masse pour délivrer les différents potentiels V1, V2, V3 de polarisation des grilles des transistors; des moyens logiques 100 pour rendre conducteur un seul transistor de commutation déterminé à la fois, pour générer un niveau de tension déterminé sur la sortie 1 de l'étage de génération.</P>
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