METHOD AND APPARATUS FOR STORING DIGITAL INFORMATION IN THE FORM OF STORED CHARGES.

摘要

Méthode et appareil (10) pour le stockage d'informations numériques dans une structure de mémoire dense. Un substrat semi-conducteur (12) est doté d'une couche mince d'isolation (14). Une couche de stockage de charges diélectrique (16) est réalisée sur ladite couche d'isolation (14). Un bras en porte-à-faux piézoélectrique bimorphe (30) présente un bout (32) à son extrémité libre permettant d'accéder à certains emplacements de mémoire définis par des zones de stockage de charges (40, 42, 44) et disposées dans la couche de stockage de charges (16). Afin d'introduire des informations sous forme de charges dans un emplacement de mémoire, le bout (32) se met en contact avec la surface de ladite couche de stockage de charges (16) ou à proximité de celle-ci. Un champ électrique est appliqué entre ledit bout (32) et le substrat (12) de manière à inciter des charges à tunneler à travers la couche d'isolation mince (14) vers la couche de stockage de charges (16) où les charges sont stockées en tant que charges captées. On fait sortir les informations d'un emplacement de stockage en écartant le bout (32) du bras en porte-à-faux (30) à une distance (d) de la surface de la couche de stockage de charges (16), et en appliquant un champ électrique entre ledit bout (32) et le substrat (12). On mesure ensuite la force capacitive se manifestant audit bout (32) de manière à déterminer la quantité de charge stockée dans ledit emplacement de mémoire. Dans une autre réalisation, on dépose une charge directement sur la surface d'une seule couche d'isolation. Des emplacements de charges sont placés dans des pistes circulaires disposées dans un substrat rotatif (52) de manière à créer un réseau de mémoire de haute densité (50). Des emplacements de charges sont également aménagés dans des pistes linéaires en réalisant des couches alternantes de couches de substrat conductrices (62) et nn conductrices (64) sur lesquelles sont réalisées des couches d'isolation minces (68) et des couches de stockage de charges (70). On obtient ainsi une