互补金属氧化物半导体集成电路

摘要

大型集成电路中的重要问题是叠加到电源上的因触发器等开关元件的开关过程和输出级过负荷引起的噪音。这些元件造成电流峰值而使电压波动较大。在带标准元件或带定制的电路块的CMOS电路中，通过在走线通道中呈额外的阱的形式的附加去耦电容较有效地解决上述问题。紧靠开关元件设置去耦电容对抑制电源噪音有利。因为走线通道并不供电路元件使用，所以芯片的表面积不致因该额外电容而增加。

主权项

1、一种CMOS集成电路，该集成电路有一个半导体基片，该基片有一个基本上是第一导电型并毗邻一个表面的层状区，层状区中设有电路，该电路至少具有两个毗邻的电路块，它们被一个中间区所分隔，并且该电路特别地但并非绝对地由成排的标准元件所构成，该电路块由沟道是第二导电型的MOS晶体管和沟道是第一导电型的MOS晶体管组成，前一种MOS晶体管设在第一导电型层状区中，后一种MOS晶体管设在第二导电型的表面区(以下称之为第一表面区)中，该表面上覆有电绝缘层，电绝缘层上形成有配线图形，该配线图形由设在中间区上方的电源线和一条或多条信号线组成，其特征在于，第一导电型层状区在各信号线底下的中间区部分另外配备有一个或多个第二导电型表面区，该表面区与电源线相连接。