| 摘要 |
Une structure de puits quantique utilisée dans les dispositifs à semiconducteurs se compose de deux zones de barrière (SiO2) et d'un puits quantique (SI) d'un matériau semiconducteur monocristallin, mince, à croissance épitaxiale coincé entre lesdites zones de barrière (SiO2). Chaque zone de barrière comporte essentiellement des couches alternées sous contrainte formant un superréseau, chacune de ces couches étant plus mince que ledit puits quantique. Les couches sont si minces qu'il ne se produit aucune défaillance provoquée par la libération de l'énergie de contrainte accumulée. |
