基于自旋阀效应的磁致电阻传感器

摘要

一种磁致电阻(MR)传感器包括被一薄膜层非磁性金属材料分隔开的一个第一与一个第二磁性材料薄膜层。第一铁磁层是软磁性的，第一磁性材料层的磁化方向在零作用场中是设置成基本上垂直于第二磁性材料层的磁化的，并且第二磁性材料层的磁化方向是固定的。产生通过MR传感器的一个电流，就可感测到跨越该MR传感器的电压变化，这种变化是由于作为一个被感测的磁场的函数由第一磁性材料层中的磁化旋转产生的MR传感器的电阻变化引起的。随第一与第二磁性层之间的磁化角的电阻变化被定义为自旋阀(SV)效应。

主权项

1.一种磁致电阻传感器，其特征在于：被一薄膜层非磁性金属材料分隔开的一个第一与一个第二铁磁性材料薄膜层，在零作用磁场中，所述第一铁磁性材料层的磁化方向是基本上垂直于所述第二铁磁性材料层的磁化方向的；并且所述第二层具有一个比所述第一层更高的矫顽性，从而使所述第二层的磁化方向固定；用于产生通过所述磁致电阻传感器的一个电流的装置；以及用于感测所述磁致电阻传感器的电阻率的变化的装置，这种变化是由于作为所感测的磁场的一个函数的所述铁磁材料层中磁化旋转上的差别引起的。