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Bei einem MOS-kontrollierten, abschaltbaren Leistungshalbleiter-Bauelement, bei welchem in einem gemeinsamen Halbleitersubstrat (1) nebeneinander eine Vielzahl von MCT-Zellen (M) und IGBT-Zellen (I) angeordnet sind, werden die zugehörigen Gateelektroden (3 bzw. 5) der beiden Zellentypen als separate Elektroden ausgeführt. Hierdurch ergibt sich die Möglichkeit einer zeitlich gestaffelten Ansteuerung beim Abschalten, die zu wesentlichen Vorteilen im elektrischen Verhalten des Bauelements führt. <IMAGE>
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