| 主权项 |
1﹒一种在低温下利用一弹簧接触探针测量半导体 参数之系统,包括:(a) 一封闭室;(b)一受测之半导体材料样品,其具有一 打光表面部份及一 位于该打光表面部份上之绝缘层,该样品支承于该 封闭室中(C)一设置 于该封闭室中之弹簧探针,该探针冲击该绝缘层;(d )一设置于该样品 之一表面部份上之接触件;(e)一对设置于该封闭室 外部之接触件,各 该接触件分别连结至该样品上之接触件及该弹簧 探针;及(f)一容器, 其支承该封闭室并容装一低温材料于其中,该低温 材料围绕该封闭室。 2﹒一种在低温下利用一弹簧接触探针测量半导体 参数之方法,包括下列步骤 :(a)提供一封闭室;(b)提供一半导体材料样品;C)打 光该半导 体材料样品之表面部绝缘层;(e)支承(d)中之样品于 该封闭室中( f)以一设置于该封闭室中之弹簧探针冲击该绝缘 层;g)在该样品之一 表面部份上设置一接触件;(h)在该封闭室外部设置 一对接触件,各该 接触件分别连结至该样品上之接触件及该弹簧探 针;及(i)在支承该封 闭室于一围绕该封闭室之低温材料中。 3﹒一种在低温下利用一弹簧接触探针测量半导体 参数之系统,包括:(a) 一受测之半导体材料样品,其具有一打光表面部份 及一位于该打光表面部 份上之绝缘层;(b)一冲击该绝缘层之弹簧探针;(C) 一设置于该样 品之一表面部份上之接触件;及(d)一对接触件,各 该接触件分别连结 至该样品上之接触件及该弹簧探针。 4﹒如申请专利范围第3项所述之系统,进一步包括 一支承该样品之容器,该 容器装容一低温材料于其中,该低温材料围绕该样 品。 5﹒如申请专利范围第4项所述之系统,进一步包括 一蓝宝石承台用来支承该 样品。 6﹒如申请专利范围第5项所述之系统,其中该低温 材料为液态氮。 7﹒一种在低温下利用,弹簧接触探针测量半导体 参数之方法,包括下列步骤 :a)提供一受测半导体材料样品;b)打光该样品之一 表面部份;c) 在该被打光表的部份上形成一绝缘层;d)以一弹簧 探针冲击该绝缘层; e)在该样品之一表面部份上设置一接触件;及f)设 置一对接触件,各 该接触件分川连结至该样品上之接触件及该弹簧 探针。 8﹒如申请专利范围第7项所述之系统,进一步包括 提供一支承该样品之容器 ,该容器装容一低温材料于其中,该低温材料围绕 该样品。 9﹒如申请专利范围第2.7或8项所述上方法,其中该 半导体材料为─II ─VI族群成份。 10﹒如申请专利范围第2.7或8项所述之力法,其中该 半导体材料为Hg CdTe。 11﹒如申请专利范围第7项所述之方法,其中该设置 在该檬品之一表面部份 上之接触件为铟。 12﹒如申请专利范围第8项所述之方法,其中该低温 材料为液态氮。 13﹒如申请专利范围第1或3项所述之系统,进一涉 包括一支承该檬品之承 合及一装置,该装置用来在一垂直于该探针之平面 中移动该承合。 14﹒如申请专利范围第13项所述之系统,进一步包 括一控制装置,用来控 制该移动该承合之装置之动作。 15﹒如申请专利范围第14项所述上系统,进一步包 括一可控制之装置,用 来以一垂直于该样品之方向移动该探针。图示简 单说明: 图1为本发明第一实施例之测试系统 之略图; 图2(a)为在1MH2高频特性下对具 有约0.1eV带隙之n一型HgCdTe样品进行 测试所得之C一v/G一v特性图; 图2(b)为依随一喷射脉冲之电荷过 渡曲线,藉此可测得储存时间及崩溃电压 图3为本发明探针尖端之略图; 图4为木发明第二实施例之测试系统 之略图。 |
