| 摘要 |
Amplificateur composite en pont comprenant quatre transistors de sortie à effet de champ à grille isolée par oxyde métallique (dispositifs MOS à effet de champ) configurés en pont. Les grilles des dispositifs MOS sont commandées par un signal d'entrée qui est amplifié par un déphaseur multiple à amplification différentielle en losange et un étage de gain de tension avant d'être appliqué aux grilles des dispositifs MOS. Les bornes de puissance (sources et drains) des dispositifs MOS reçoivent un signal de puissance qui varie en fonction du signal d'entrée, à un niveau suffisammen t élevé pour maintenir une certaine hauteur au-dessus du signal de sortie mais permettant également de réduire la dissipation de puissance dans les dispositifs MOS. Le signal de puissance est produit par un commutateur (64) connecté entre une alimentation flottante (107) et un filtre (68), et est actionné à environ 200 KHz. Le commutateur est activé par un signal à modulation d'impulsion en largeur dérivé de la valeur absolue du signal d'entrée. Etant donné que le signal de puissance suit en fait le signal de sortie, il y a peu de dissipation de puissance dans les dispositifs MOS, de sorte que l'amplificateur peut avoir une forme très compacte. En raison de la configuration en pont, un seul commutateur, une seule alimentation flottante et un seul modulateur d'impulsion en largeur (104) sont utilisés, ce qui réduit les coûts. La précompensation dans le modulateur de la largeur d'impulsion fait varier la largeur d'impulsion des impulsions activant le commutateur de manière inverse aux variations de la tension d'alimentation, permettant ainsi de laisser l'alimentation flottante non-régulée. |
