| 发明名称 |
GROWING METHOD FOR METAL EPITAXIAL FILM ON COMPOUND SEMICONDUCTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
JPH05226264(A) |
申请公布日期 |
1993.09.03 |
| 申请号 |
JP19920030423 |
申请日期 |
1992.02.18 |
| 申请人 |
NIPPON TELEGR & TELEPH CORP <NTT> |
发明人 |
HIRONO SHIGERU;OSAKA JIRO;INOUE NAOHISA |
| 分类号 |
H01L21/205;H01L21/338;H01L29/04;H01L29/43;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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