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Dans une version, ce procédé permet de fabriquer des transistors PNP et NPN placés sur la même couche épitaxiale (10). On définit d'abord les régions P des transistors PNP et NPN au cours d'une seule étape de masquage. Le motif de région émettrice (71) et réceptrice (70, 72) du transistor PNP est ainsi auto-aligné avec la région de base (73) du transistor NPN. On dope alors toutes les régions définies pour parvenir à la concentration désirée pour la région de base. L'étape de masquage suivante permet de créer une couche résistante (76) recouvrant la région de base (73) et on garde le reste du motif de masquage précédent pour définir les régions émettrice (71) et réceptrices (70, 72) du transistor PNP. On implante alors des dopants P dans les régions émettrice (71) et réceptrices (70, 72) précédemment définies pour créer les régions émettrices (71) et réceptrices (70, 72) fortement dopées en P++ pour le transistor PNP, régions qui sont ainsi auto-alignées avec la région de base P (73) du transistor NPN. |
