发明名称 EVAPORACION TERMICA EN DOS PLANOS.
摘要 La metalización al vacío de substratos que tienen superficies tanto verticales como horizontales, tiene lugar al dirigir metal proveniente de dos fuentes remotas, por medio de evaporación térmica. Una de las fuentes está conectada horizontalmente por debajo del objeto, para depositar metal verticalmente hacia el objeto, a su superficie horizontal. La segunda fuente está conectada verticalmente al objeto para depositar metal horizontalmente hacia el objeto, a su superficie vertical. Una cámara de vacío contiene un carrusel giratorio que soporta a los objetos, con las fuentes situadas fijamente dentro de la cámara para llevar a cabo la evaporación térmica.
申请公布号 MX9301562(A) 申请公布日期 1993.09.01
申请号 MX19930001562 申请日期 1993.03.19
申请人 DAVIDSON TEXTRON INC. 发明人 RICHARD C. EISFELLER
分类号 C23C14/22;C23C14/14;C23C14/20;C23C14/24;C23C14/50;(IPC1-7):C25D5/54 主分类号 C23C14/22
代理机构 代理人
主权项
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