Self-aligned thin film transistors in an active matrix array.

摘要

Procédé de production d'un transistor adapté à l'utilisation en matrice. Il consiste à utiliser la structure de grille comme masque de manière à permettre l'implantation d'ions de phosphore sur certaines parties d'une couche a-Si:H, ou à apporter des parties supplémentaires en silicium dopé au phosphore pour assurer des contacts ohmiques vers la source et le drain du transistor. Les croisements des conducteurs de connexion de la source et du drain sont isolés par des couches a-Si:H/SiNx ou par une couche de polyimide apportée pendant la séquence de traitement. La redondance à la fois du transistor et des croisements assure une augmentation du rendement dans la matrice.