| 发明名称 |
METHOD FOR FABRICATING A FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US5240869(A) |
申请公布日期 |
1993.08.31 |
| 申请号 |
US19910785109 |
申请日期 |
1991.10.30 |
| 申请人 |
MITSUBISHI DENKI KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
NAKATANI, MITSUNORI |
| 分类号 |
H01L21/28;H01L21/285;H01L21/338;H01L29/423;H01L29/812 |
主分类号 |
H01L21/28 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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