| 发明名称 |
(A) ;PRODUCTION OF N TYPE SILICON SINGLE CRYSTAL |
| 摘要 |
A process for applying and polymerizing a monomeric material to a gas separation membrane to improve the permselectivity of the membrane with respect to at least one pair of gases is disclosed. |
| 申请公布号 |
JPH0558770(B2) |
申请公布日期 |
1993.08.27 |
| 申请号 |
JP19880119440 |
申请日期 |
1988.05.18 |
| 申请人 |
II AI DEYUHON DE NIMOASU ANDO CO |
发明人 |
RICHAADO AREN HEIZU;OKAN MATSUKUSU EKINAA;FUIRITSUPU MANOSU |
| 分类号 |
B01D53/22;B01D67/00;B01D69/12;B01D71/64;B01D71/70;C01B21/04;C01B23/00;C07C45/50;D01D5/24;(IPC1-7):B01D67/00 |
主分类号 |
B01D53/22 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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