肖特基结半导体器件

摘要

一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。

主权项

1.一种半导体器件包括：一个半导体基体；一个与所述基体的一部分电连接的欧姆性电极；以及一个肖特基电极，在所述肖特基电极和所述半导体基体的另一个部分之间形成肖特基结；其特征在于：所述肖特基结是一个单晶金属。