| 发明名称 | 集成电路的保护结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种集成电路输入的过压保护结构，它由集成电路输入端与地线之间并列设置的矩形平面放电间隙和二氧化硅介质电容器组成。这种结构与现有集成电路工艺相容，特别适用于CMOS/SOS集成电路，具有保护能力强以及不易烧毁等优点。 | ||
| 申请公布号 | CN1021942C | 申请公布日期 | 1993.08.25 |
| 申请号 | CN88104274.9 | 申请日期 | 1988.07.14 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 刘忠立;刘荣寰;和致经 |
| 分类号 | H01L27/02;H01L23/62 | 主分类号 | H01L27/02 |
| 代理机构 | 中国科学院专利事务所 | 代理人 | 卢纪 |
| 主权项 | 1.一种CMOS/SOS集成电路输入的过压保护结构，其特征在于，它由集成电路输入端与地线之间并列设置的放电间隙和电容器组成，放电间隙即在金属输入引线与金属地线之间有一段可供高电压放电的空气间隙，电容器即在金属输入引线与金属地线之间有一填充介质的区域。 | ||
| 地址 | 北京市海淀区清华东路 | ||