| 摘要 |
<p>Détecteur photoélectrique présentant une structure à puits quantiques multiples constitués chacun par une barrière amont (B1) réalisée en un premier matériau semiconducteur, un puits (P) réalisé en un deuxième matériau semiconducteur, et une barrière aval (B2) réalisée en un troisième matériau semiconducteur, chaque matériau semiconducteur étant défini par sa composition chimique, et la conductibilité électrique dans le détecteur étant assurée par propagation de porteurs de charge donnée dans une bande électronique de type donné présentant, dans chacun desdits matériaux, un extremum d'énergie. Selon l'invention, lesdits matériaux semiconducteurs étant au moins partiellement dopés en donneurs, les premier et troisième matériaux semiconducteurs ont une composition chimique telle que la différence ( E) d'énergie, entre l'extremum d'énergie de ladite bande électronique dans le premier matériau semiconducteur et l'extremum d'énergie de ladite bande électronique dans le troisième matériau semiconducteur est supérieure en valeur absolue à l'énergie maximale des phonons longitudinaux optiques dans le deuxième matériau semiconducteur constituant le puits (P). Application aux détecteurs infrarouge, notamment dans la gamme 2X10¹³ - 4x10¹³ Hz. <IMAGE></p> |
