| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung dünner Schichten, bei dem in einer Prozeßkammer mit Gaseinlaß und Gasauslaß, einem Target sowie einem Substrat, der Druck des Prozeßgases konstant gehalten wird, während Material vom Target abgestaubt und auf das Substrat abgeschieden wird. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Herstellung dünner Schichten. Es ist Aufgabe der Erfindung, ein Verfahren zu schaffen, das zu einem Dünnfilm mit verminderter Inhomogenität führt. Erfindungsgemäß wird dazu das Prozeßgas bis an das Plasma herangeführt. Alternativ können dabei entweder eine oder mehrere Emissionslinien in einem räumlichen Bereich spektroskopisch erfaßt und nach Einstellung eines gewünschten Querschnittsprofiles dieses mittels Nachregelung des Prozeßgasmischungsverhältnisses zeitlich konstant gehalten werden. Andererseits ist es auch möglich, zur Lösung der gestellten Aufgabe eine Sonde so anzuordnen, daß geladene Atome des Prozeßgases detektiert werden und zur Erzielung der gewünschten Homogenität der Spannungswert an der Sonde durch eine Nachregelung des Prozeßgasmischungsverhältnisses konstant geregelt wird.</p> |
