| 主权项 |
1﹒一种主动矩阵薄膜电晶体列阵,其中包括有许 多重复的水平扫描线及许多 重复的垂直信号线,在每条扫描线与信号线之交点 上,都有一反转型堆叠 式薄膜电晶体,此主动矩阵薄膜电晶体列阵是以三 道光罩完成,每一薄膜 电晶体包括有一闸极,一源极和一汲极,要完成此 一主动矩阵液晶显示器 之薄膜电晶体列阵包括有如下之制程沈积一层金 属薄膜于透明基板上;蚀 刻金属薄膜以完成前述之薄膜电晶体之闸极,扫描 线及部份的信号线;连 续沈渍一层绝缘层,一半导体层,一高掺杂半导体 层,利用光蚀刻技术做 出一薄膜电晶体区,此时必须将部份的高掺杂半导 体层及绝缘层蚀刻掉; 沈积一层透明的导电薄膜;利用光蚀刻技术形成像 素电极,前述薄膜电晶 体之源一汲极和信号线的连接点将在源一汲极间 的高掺杂半导体薄膜蚀刻 掉。 2﹒如专利申请范围1所述之主动矩阵薄膜电晶体 列阵,其中之基板是玻璃。 3﹒如专利申请范围1所述之主动矩阵薄膜电晶体 列阵,其中所述之金属是铬 、铝或是其它金属。 4﹒如专利申请范围1所述之主动矩阵薄膜电晶体 列阵,其中所述之绝缘层是 氮化矽。 5﹒如专利申请范围1所述之主动矩阵薄膜电晶体 列阵,其中所述之半导体层 是非晶矽半导体。 6﹒如专利申请范围1所述之主动矩阵薄膜电晶体 列阵,其中所术之高掺杂半 导体是高掺杂非晶矽半导体。 7﹒如专利申请范围1所述之主动矩阵薄膜电晶体 列阵,其中所述的透明导电 薄膜是氧化铟锡。图示简单说明 图1是先前技艺之顶端闸极TFT结构 。 图2-5是本发明第一实施例三道光 罩制程TFT的制程步骤。 |
