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1、一种纳米硅薄膜的制备方法，其特征在于其步骤如下：第一步：启动抽真空系统，将反应室内的空气抽掉，使反应室内的真空度至少要达到2×10-3乇，即予真空状态。第二步：将安装在衬底电极上的电炉打开，通电加热，使衬底温度Ts达到280～350℃并继续抽气使反应室内的真空度到予真空状态。第三步：接着，将纯度为99.999%的高纯度氢气通入反应室，使反应室真空度保持在1～2乇，稳定后，打开R.F功率源，当反应室内出现高频辉光放电呈淡兰色时，氢气在高频等离子体中被分解成[H]原子基，[H]基在高频电场中吸收了能量。第四步：关掉R.F电源及氢气源，使反应室内回复到原来的预真空度，稳定后，通入按稀释比为0.5～2.0%的(C=SiH4/SiH4+H2=0.5～1.0%)混合的硅烷气，使反应室内真空度达到1.0～1.5乇左右。第五步：上述过程稳定后，重新打开R.F功率源，并调节到适当的功率(视所要求的沉积的硅膜的微晶粒的大小而定)，待R.F辉光稳定后(颜色呈淡红色)，打开D.C功率源，选用200～300V直流负偏压。第六步：在此情况下开始沉积纳米硅薄膜，其沉积速率约为2nm/分。第七步：纳米硅膜沉积好后，先关掉R.F及D.C电源，再关掉气源，待反应室真空度回复到原来的予真空度时，关掉衬底加热电炉的电源；Ts值下降到100℃以下，关掉抽真空系统。 |
