Fermi Threshold Field Effect Transistor with Reduced Gate and Diffusion Capacitance,申请号CA19932117426-传众专利搜索

发明名称	Fermi Threshold Field Effect Transistor with Reduced Gate and Diffusion Capacitance
摘要
申请公布号	CA2117426(A1)	申请公布日期	1993.08.05
申请号	CA19932117426	申请日期	1993.01.28
申请人	THUNDERBIRD TECH INC	发明人	VINAL ALBERT W
分类号	H01L21/265;H01L29/10;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/784;H01L29/788;H01L27/088	主分类号	H01L21/265
代理机构		代理人
主权项
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