FAST TURN-OFF THYRISTOR STRUCTURE.

摘要

Thyristor à blocage rapide comprenant une première région de shunt actif (20, 22) dans la région de gâchette cathodique (13) connectée électriquement à la borne de l'anode pour shunter les porteurs de charge dans la région de gâchette anodique (15, 28) quand le thyristor est conducteur; et une seconde région de shunt (19, 21) dans la région de gâchette anodique (15) connectée électriquement à la borne de la cathode pour shunter les porteurs de charge dans la région de gâchette cathodique (13, 25) quand le thyristor est conducteur. Ces shunts actifs sont inactifs jusqu'au blocage du thyristor. Les shunts actifs sont des transistors (Q3, Q4) en parallèle avec la paire de transistors interconnectés (Q1, Q2) qui servent à un thyristor PNPN.