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<P>Procédé de fabrication d'un circuit intégré MIS haute tension. <BR/> Ce procédé de fabrication d'un circuit intégré, comportant des transistors MIS dont les sources (18, 32) et les drains (20, 34) consistent en des doubles jonctions et dont les grilles sont formées dans une couche semi-conductrice, comprend une première implantation d'ions (14) d'un type de conductivité déterminé, dans le substrat semi-conducteur, à une dose déterminée, pour y former des premières jonctions de source (18) et drain (20), puis une seconde implantation d'ions (30) du même type que la première, à une dose plus élevée que celle de la première implantation pour former lesdites doubles jonctions; ce procédé est caractérisé en ce que l'on épitaxie, entre les première et seconde implantations, une couche conductrice (28) sur lesdites premières jonctions (18, 20) et sur les grilles (8a), la seconde implantation étant formée à travers cette couche épitaxiée de sorte que les doubles jonctions y sont formées en partie.</P>
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