| 摘要 |
<P>L'invention concerne un étage de sortie TTL-CMOS pour circuit intégré. <BR/> Il comprend un transistor bipolaire 1 et un transistor MOS 2 connectés en série entre l'alimentation et la masse, leur point commun formant la borne de sortie BS de l'étage de sortie TTL-CMOS. <BR/> Une première voie d'entrée de commande de commutation comprend un inverseur 3 dont l'entrée forme la borne d'entrée BE de l'étage et dont la sortie est reliée à la grille du transistor MOS 2 par une résistance 4. Une deuxième voie d'entrée de commande de commutation comprend un deuxième inverseur 5, commandé par le premier inverseur 3, et dont la sortie est reliée à la base du transistor bipolaire 1 par l'intermédiaire d'une deuxième résistance 6. Les résistances 4 et 6 permettent de limiter le courant transitoire et le courant moyen fourni par le transistor bipolaire 1. <BR/> Application à la fabrication des circuits intégrés.</P>
|
