| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist eine Halbleiterstruktur mit einem oder mehreren lateralen, hoch sperrenden Halbleiterbauelementen in einem Halbleiter aus einem metallisierten Substrat (2), einer an das Substrat angrenzenden dielektrischen Schicht (3), einer über der dielektrischen Schicht angeordneten, homogen dotierten Driftzone (4) und mit stark dotierten Zonen der Halbleiterbauelemente, die in die Driftzone eingelassen und elektrisch kontaktiert sind. Wenigstens die Zonen (5, 6) der Halbleiterbauelemente, die bei funktionsgemäßer Betriebsweise der Halbleiterbauelemente eine hohe Potentialdifferenz gegenüber dem Substrat aufweisen können, erstrecken sich bis zu der dielektrischen Schicht (3).</p> |
