电光学装置

摘要

本创作为一由两种相反基体所构成的电光学，装置，一种有电光学效应且密封于两相反基体之间的材料，大量的列电极形成于两相反基体其中之一，大量的行电极形成于两相反基体中的另一种，而图素电极以矩阵形式安排在至少两种相反基体的其中之一种，非线性电阻元件以矩阵形式安排在至少两种相反基体的其中之一，其中大量的非线性电阻元件形成在每个图素电极上，每个图素电极经第一个非线性电阻元件连接到第一个列或行电极，且经由第二个非线性电阻元件与第二个列或行电极连接，施于列电极对上或行电极对上以控制非线性电阻元件对之电阻的信号可使非线性电阻元件作开关，而资料由行电极或列电极写入，籍以减少由非线性电阻元件特性的不均匀和随时间退化所导致的电荷注入量的变化，且同时降低了资料图案遗漏量的变化，因此可随意且准确地控制均方根电压。

主权项

1﹒一种电光学装置包含二种相反的基体,一种有 电光学效应且被密封在上述 内裤相反基体之间,大量的则电极形成在上述两种 相反基板之一,大量的 行电极形成于上述两种相反基板的另一种上,而图 素电极以矩阵形式安排 在至少上述两种相反基体之一,而非线性电阻元件 以矩阵形式安排在至少 上述两种相及基体之一,其中大量的非线性电阻元 件形成在上述每一个图 素电极,上述每一个图素电极经由第一个非线性电 阻元件与第一个列或行 电极连接,经由第二个非线性电阻元件与第二个列 或行电极连接,而上述 第一个和第二个非线性电阻元件是以上述第一个 和第二个列电极对或行电 极对所控制。 2﹒如申请专利范围第1项之电光学装置,其中该非 线性电阻元件由一层所组 成,此层需由下列材料中选取:非晶矽,氮化矽,氧化 矽,碳化矽和矽之 氮氧化物其矽之含量大于某个化学计量比例。 3﹒如申请专利范围第2项之电光学装置,其中该非 线性电阻元件由一层构成 ,该层至少包含氢,磷和硼其中之一。