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Procédé de fabrication d'une tranche de semi-conducteur, comprenant: le dépôt d'une première couche de matériau d'interconnexion sur un substrat; l'attaque du matériau d'interconnexion pour former des circuits d'interconnexion; la réalisation d'une première métallisation pour déposer une première couche diélectrique à basse température au-dessus des circuits d'interconnexion; l'aplanissement de la première couche diélectrique à basse température au moyen de verre filé quasi-inorganique ou inorganique par un procédé contraire à la gravure en retrait; le dépôt d'une deuxième couche diélectrique à basse température au-dessus du verre filé, la réalisation d'une désorption in-situ physique et chimique de vapeur d'eau dans une ambiance sèche à une température d'au moins 400 °C et non supérieure à 550 °C pendant une durée suffisante pour obtenir un taux de désorption négligeable, la température dépassant d'au moins 25 °C la température à laquelle la surface de la tranche sera exposée pendant une étape de métallisation ultérieure; la gravure de trous de transit à travers les couches de verre filé et diélectrique pour atteindre les circuits de la première couche d'interconnexion et la réalisation de l'étape de métallisation ultérieure pour déposer une deuxième couche d'interconnexion passant par les trous de transit vers les premiers circuits d'interconnexion tout en maintenant l'ambiance sèche. Les étapes ultérieures de gravure et de métallisation suivant l'étape de désorption sont effectuées sans re-exposer la tranche aux conditions ambiantes. Cette technique permet d'utiliser avec fiabilité des verres filés inorganiques et quasi-inorganiques dans un équipement de pulvérisation sans charge. |
